2. ESD-Forum 1991 (Neuss)

Sitzung 1: ESD-Schutz in der Mikroelektronikanwendung/produktion

• ESD-Schutzstrategie für Mikroelektronikhersteller 
  
  U. Bethäuser – Siemens Nixdorf
• Untersuchung verschiedener Konzepte zur Prüfung der ESD-Schutzwirkung von "Transparent Static Shielding Bags" in Anlehnung an den ANSI EIA-514 Standard 
  
  K. Schumacher – 3M Laboratories Europe GmbH
• Bestimmung der Schutzwirkung von Verpackungsbeuteln verschiedener Konstruktionsprinzipien mit einem Aufbau gemäß EIA-541 
  
  R. Gärtner – Universität der Bundeswehr München
• Anforderungsprofil für Schutzbeutel gegen Elektrostatik und relevante Testmethoden 
  
  H.-P. Brandt – 3M Laboratories Europe GmbH
• Untersuchung der triboelektrischen Eigenschaften von Verpackungsfolien (Inclined Plane Test) 
  
  R. Gärtner – Universität der Bundeswehr München
• Surface Resistivity: Why? 
  
  P. Malinverni – Grace Italiana S.p.A.

Sitzung 2: ESD-Simulation

• Vergleich von HBM-Testgeräten nach einem erweiterten MIL-Standard 
  
  H. Baumgärtner – Universität der Bundeswehr München
• Aufbau eines Rechteckimpulsgenerators nach dem "Transmission-Line-Prinzip" und in-Situ-Messungen an integrierten Halbleiterstrukturen 
  
  C. Russ – TU München
• Hochfrequenztechnische Charakterisierung eines Testaufbaus nach dem "Charged Device Model" mit Empfehlungen zu Testeraufbau und Testablauf 
  
  H. Gieser – TU München

Sitzung 3: ESD in der integrierten Schaltung

• Schaltungsstress durch ESD - Schützen CMOS-Eingangsschutzstrukturen die Schaltung oder umgekehrt? 
  
  X. Guggenmos – Siemens AG
• Einfluß des Serienwiderstandes durch "on chip" Versorgungsleitungen auf das ESD-Verhalten eines Bausteins 
  
  H. Terletzki – Siemens AG
• Feldemissionstrukturen für ESD-Schutzschaltungen im Mikrowellenbereich 
  
  K. Bock – TH Darmstadt
• Elektro-thermische Simulation integrierter Halbleiterstrukturen 
  
  T. Körfer – TU München
• Latente ESD-Fehler 
  
  V. Dudek – Institut für Mikroelektronik Stuttgart