14. ESD-Forum 2015 (München)

Tagungsprogramm 

Outstanding Paper Award of EOSESD 2014:

  • Do Devices on PCBs Really See a Higher CDM-like ESD Risk? 

    R. Gärtner – Infineon Technologies AG

Sitzung 1: ESD und EOS auf Bausteinebene 1

  • Beurteilung der CDM-Festigkeit mittels CC-TLP 

    S. Seidl – Infineon Technologies AG
  • Simulation and Characterization of Setups for Charged Device Model and Capacitive Coupled Transmission Line Pulsing 

    D. Helmuth – Fraunhofer EMFT
  • Simulation der CDM-Festigkeit von ICs mittels Messdaten- basierter Modelle von CDM-Entladeköpfen 

    F. zur Nieden – Infineon Technologies AG

Sitzung 2: ESD und EOS auf Bausteinebene 2

  • Was ist überhaupt Electrical Overstress? 

    K.T. Kaschani – Texas Instruments Deutschland GmbH
  • ICs are not always used as expected by Manufacturers 

    M. Scilio – Texas Instruments Deutschland GmbH
  • HBM-Testing on bare dies and packages – correlation of Matrix Tester and 2-pin Tester 

    T. Lokare – Infineon Technologies AG
  • The Resilience of Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) Field-Effect Transistors (FETs) with respect to Electrostatic Discharge (ESD) Effects 

    L. Santarelli – University College London

Sitzung 3: ESD und EOS-Schutzmaßnahmen in der Fertigung 1

  • Ein erfolgreiches Tailoring Konzept 

    D. Burckhardt – Continental Automotive
  • Vergleichende Messungen von zwei ESD-Drehstühlen mit verschiedenen Rollen und Gleitern auf unterschiedlichen ESD-Bodensystemen 

    J. Speicher – Wolfgang Warmbier

Sitzung 4:  ESD und EOS auf Systemebene 1

  • Simulation der Feldeinkopplung in eine isolierte elektrische Schaltung bei Sekundärentladungen 

    B. Arndt – AVL-Trimerics GmbH
  • In-Situ Measurements and Simulation of Stress Currents During System Level ESD Tests of a Large Area Lighting System 

    H. Wolf – Fraunhofer EMFT
  • Modellierung von ESD Schutzelementen mit Snapback-Verhalten 

    C. Austermann – TU-Dortmund

Sitzung 5:  ESD und EOS auf Systemebene 2

  • System-level ESD Investigation of a Multi-modal, Modular Artificial Skin 

    T. Lim – Fraunhofer EMFT
  • Funktionsstörung bei Magnetsensoren während der ESD-Belastung auf Systemebene 

    D. Dibra – Infineon Technologies AG
  • Fast Transient Characterization of Integrated Circuits 

    D. Walther – Texas Instruments Deutschland GmbH

Sitzung 6:  ESD- und EOS-Schutzmaßnahmen in der Fertigung 2

  • Praktische Probleme bei der Qualifizierung und Validierung der elektrostatischen Schutzwirkung von Schuhwerk und Boden in Kombination mit einer Person 

    C. Hinz – Stat-X Deutschland GmbH
  • Neue Messverfahren zur Überprüfung und Überwachung von Elektrostatikschutzmaßnahmen - insbesondere in automatisierten Fertigungen
    T. Sebald – ESTON Technologies